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SiE802DF
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
8 0
60
40
V GS = 10 V thr u 4 V
20
16
12
8
T C = 125 °C
20
0
3 V
4
0
25 °C
- 55 °C
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.0025
0.0023
0.0021
0.0019
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
10 000
8 000
6000
4000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.0017
V GS = 10 V
2000
C oss
C rss
0.0015
0
0
20
40
60
8 0
100
0
5
10
15
20
25
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 23.6 A
8
V DS = 15 V
6
V DS = 24 V
4
2
0
1.6
1.4
1.2
1.0
0. 8
0.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 4.5 V , 10 V
I D = 23.6 A
0
20
40
60
8 0
100
120
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 72985
S09-1337-Rev. E, 13-Jul-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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